钳位式RCD吸收电路用于限制的关断过电压分析一
目前，大功率IGBT的通常使用频率在10kHz左右，在这样高的频率下，放电式的RCD吸收电路由于自身损耗过大而无法使用。由于IGBT的开关速度很高.主电路的杂散电感会导致很高的关断过电压.这对大功率于IGBT器件会造成严重威胁,所以 IGBT的吸收电路上要要解决过电压的问题，目前钳位式RCD吸收电路被认为最适合大功率IGBT，且被广泛采用。
图4-36a是个带有钳位式RCD吸收电路的IGBT斩波器原理图。设负载为感性的，用串联的RL与LL表示。VD为负载续流二极管，LS代表主电路杂散电感。钳位式RCD吸收电路由电阻RS，电容CS和二极管VDS组成。吸收电容CS与二极管VDS串联后跨接于IGBT的C、E之间,电阻RS不象充放电式的RCD吸收电路那洋与二极管VDS并联，而是另一端与电源的正极相联，斩波器工作时，电容CS上充有与电源电压一样高的电压。当IGBT导通时，由于二极管VDS的作用.电容CS上的电荷不会放掉，电容电出仍为电源电压。当IGBT开始关断时，负载电流仍继续流过IGBT,直到IGBT的UCE到达电源电压，续流二极管导通。在IGBT与续流二极管换相的过程中，杂散电感的电流突然变小，若无吸收电路会在IGBT的C. E间产生尖峰电压，使IGBT能遭到被击穿的危险。在加上了钳位式RCD吸收电路后，当IGBT的集电极电压高于电源电压时，杂散电感中的能暈通过二极管VDS转储到吸收电容CS中，IGBT的集电极电位被钳在电容电压上，这样抑制了IGBT集电极尖峰电压。这种钳位式RCD吸收电路只在IGBT的集电极电压高干电源电压时起作用。
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