IGBT模块栅极驱动及模块的保护

栅极驱动电压：
IGBT 需要栅极电压使集电极和发射极之导通。

典型的IGBT 栅极驱动电路

开通时建议用15V±10%的正栅极电压，该电压足以使IGBT 完全饱和。在任何情况下不应超过（12V-20V）的范围。
为了保证不会因为di/dt 噪声产生误开通，故采用反偏压（-5V 至-15V）来作为关断电压。

b. 串联栅极电阻RG
IGBT 的开通和关断是通过栅极电路的冲放电来实现的，数值较小的电阻使栅极电容的冲放电快，从而减小开关时间和开关损耗。

c. 栅极驱动功率要求
IGBT 的开关消耗栅极电源的功率，此功率受栅极驱动负，正偏压的差值ΔVGE，栅极总电荷QG 和工作频率的影响。

d. 栅极驱动布线的几点考虑：
栅极驱动布线对防止寄生震荡，减慢栅极电压的上升，减少噪声损耗，降低栅极欠压保护次数有重大影响。
e. dv/dt 的保护
关断时的IGBT 由于反并联二极管的恢复过程其dv/dt 在集电极与栅极间电容内产生电流，流向栅极驱动电路。

为了防止误导通必须在关断时加足够的负偏压，且RG 为一个较低值，LG 应为最低值。
f. 短路保护
一般的短路检测方式是电流传感法或IGBT 欠饱和保护。